14 мая в Санкт-Петербурге на 88-ом году жизни скоропостижно скончался академик Роберт Арнольдович Сурис.
Роберт Арнольдович — сын архитектора Арнольда Суриса. Он родился в 1936 г. в Москве. С отличием окончил физико-химический факультет МИСиСа (1960).
В 1964 году защитил диссертацию на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по теме «О применении метода функций Грина в некоторых задачах физики твердого тела», в 1974 году — диссертацию на соискание учёной степени доктора физико-математических наук по теме «Исследования по теории электрических неустойчивостей в полупроводниках и полупроводниковых структурах».
Работал в НИИ «Пульсар» (Москва) и НИИ физических проблем (Зеленоград). С 1988 года возглавлял лабораторию, затем сектор теоретических основ микроэлектроники в Физико-техническом институте АН СССР / РАН.
В 1989—2012 годах заведовал кафедрой физики твёрдого тела СПбПУ, с 2011 года — кафедрой физики конденсированного состояния Санкт-Петербургского академического университета.
30 мая 1997 года был избран членом-корреспондентом РАН, 25 мая 2006 года — действительным членом РАН по Отделению физических наук. Входил в состав Президиума СПбНЦ РАН, а после учреждения регионального отделения РАН в Санкт-Петербурге (СПбО) — в президиум отделения.
Являлся членом редколлегий «Журнала технической физики», «Писем в Журнал технической физики» и журнала «Микроэлектроника».
Был женат на дочери физика Б. Н. Финкельштейна (1902—1962).
Специалист по физике твердотельных наноструктур, физике полупроводников и физическим основам твердотельной электроники. Совместно с Р. Ф. Казариновым разработал теорию электрических и оптических свойств полупроводниковых сверхрешёток, выдвинул идеи и разработал теории каскадных лазеров на основе полупроводниковых сверхрешёток, гетеролазеров с распределённой обратной связью. Развил теорию лазеров на квантовых точках.
Создал теорию пограничных состояний в полупроводниковых гетероструктурах и в структуре металл — оксид — полупроводник. Предсказал существование в плазме полупроводников волн перезарядки ловушек, определяющих свойства ИК-фотоприёмников и фоторефрактивных сред, и создал их теорию. Развил теорию фликкер-шумов в эпитаксиальных плёнках высокотемпературных сверхпроводников, теорию коллективных эффектов и многочастичных электронно-дырочных комплексов в наноструктурах и процессов эпитаксиального роста таких структур.
